第一情报 ---信息产业

世界光电子产业发展态势

供稿人:崔晓文  供稿时间:2005-3-11   关键字:光电子  产业  
 
(一)发展概况
 
近年来,全球光电子产业飞速发展,市场潜力巨大,从下表可以看出,1998年至2003年,世界光电子产业各分项产值连年增长。
 
世界光电子产业各分项市场值统计
单位:百万美元
产品/年
1998年
1999年
2000年
2003年
市场值
市场值
增长率%
市场值
增长率%
市场值
增长率%
光电组件
12117
13361
10.3
14773
10.6
20485
11.5
光电显示器
16571
19645
18.6
22342
13.7
32824
13.7
光电输出入
26560
29978
12.9
30892
3.1
33707
3.0
光存储
27147
31653
16.6
34539
9.1
40756
5.8
光通讯
32176
38389
19.3
46140
29.2
78744
20.0
激光及其它光电应用
7834
8641
10.3
9538
10.4
12324
9.0
合计
122404
141669
15.7
158224
11.7
218840
11.5
来源:PIDA
 
光电子产品的市场主要在北美和欧洲,而光电子产品的生产主要在以日本为首的亚洲,日本国内光电子生产规模几乎占了世界市场的三分之一。最近五年来,韩国和中国台湾地区的光电子产业发展迅猛,光盘及光盘机、显示器和光电扫描等产品已取代日本,占国际首位。2003年,台湾地区LED封装、TFT LCD、DSC与光驱等产量都居全球前三位,预计2004年光电子产业总产值为314.6亿美元。我国光电子产业近年来的发展速度也很快,光电子产业约占全球市场的5%,估计到2010年,我国将有450多亿美元的产值,占世界市场的10%左右。
 
 
面对光电子产业迅猛的发展局势和广阔的发展前景,各国正加速光电子产业的发展,美国、德国、日本、英国、法国等竞相将光电子技术引入国家发展计划,形成了全方位的竞争格局。
 
美国将光电子确定为国家重点发展技术,建立了若干个光子学技术中心,以及位于亚利桑那大学的“美国光谷”;
 
法国国家科研中心、法国电信公司和阿尔卡特公司在巴黎南部联合建立了国家级光电子技术基地,成为法国光电子技术领域具有国际先进水平的研究与开发中心;
 
德国确定光电子是21世纪初保持德国在国际市场上的先进地位至关重要的九大关键技术之一;
 
英国实施阿维尔计划,意图抢占光电子信息制高点;
 
日本通产省联合十多家大公司组建了光子技术研究所;
 
澳大利亚成立了光子联合研究中心,重点开拓信息技术和新产品;
 
我国在武汉建立的“中国光谷”,经过近5年的发展,在光电子产业的研究与开发方面已跻身世界光电子产业领军集团。
 
 
世界光电子产业正呈现出新的发展趋势:
 
光通信向超大容量、高速率和全光网方向发展,超大容量DWDM的全光网络将成为主要的发展趋势;
 
光显示向真彩色、高分辨率、高清晰度、大屏幕和平面化方向发展;
 
光存储将更多地采用新技术和新材料,开发出新一代高密度、高速光存储技术和系统;
 
光输出入产品向多功能、高速化、低成本方向发展;
 
光器件的发展趋势是小型化、高可靠性、多功能、模块化和集成化;
 
激光技术向全固化、超短波长、微加工和高可靠性等方向发展,激光技术与其它学科的融合以及应用领域范围不断扩大;
 
光子计算与光信息处理产业、全光电子通信产业、光子集成器件产业、聚合物光纤光缆产业、聚合物光电器件产业和光子传感器产业等,将成为未来光电子产业发展的重要组成。
 
科学界预测,到2005年,光电子产业的产值将达到电子产业产值水平;到2010年,以光电子信息技术为主导的信息产业将形成5万亿美元的产业规模;2010年至2015年,光电子产业可能会取代传统电子产业,成为21世纪最大的产业,并成为衡量一个国家经济发展和综合国力的重要标志。

万方数字化期刊中相关文章
上海光源真空紫外角分辨光电子能谱束线设计
作者:马德伟|乔山|张新夷|封东来|
刊名:光学精密工程
年:2007
卷:15
期:12
摘要:在上海光源上设计了一条光子能量覆盖5~140 eV的高通量、高分辨的真空紫外角分辨光电子能谱束线.本光束线采用准周期椭圆偏振波荡器光源,其周期长度为0.32 m,周期数为14.单色仪采用Dragon型,分为覆盖5~32 eV的低能分支和25~140 eV的高能分支.计算表明,当入射/出射狭缝开启宽度为5/5 μm时.在整个能量扫描范围内,单色仪分辨率可以高达15 000~100 000,光学元件的面型误差对分辨率的影响最大.通量计算显示,样品处s偏振光子通量高达~1012 phs/s.Shadow追迹模拟结果表明,设计的光束线具有很好的聚焦特性.
镍镀层材料表面硬脂酸配合物膜的电化学和光电子能谱研究
作者:李道华|
刊名:西南民族大学学报(自然科学版)
年:2007
卷:33
期:6
摘要:通过加速化学和电化学腐蚀实验(LSV)比较了长链脂肪酸和杂环化合物等一系列有机缓蚀剂在镍镀层材料表面形成的配合物膜的耐蚀性,结果表明,硬脂酸在镍镀层材料表面形成的膜耐蚀效果最佳.用光电子能谱(XPS和AES)研究了配合物膜层的结构和性能,以及在金属表面的成键特征和波谱变化,探讨了配合物膜的组成、化学状态和缓蚀机理.硬脂酸分子中COO-中的氧原子与镍镀层表面发生界面反应形成硬脂酸配合物膜,膜由镍的氧化物和镍的硬脂酸配合物组成,其中Ni和O分别呈+2、+3和-2价,配合物膜的结构可表示为Ni-硬脂酸/NimOn/Ni,各元素的相对原子百分浓度(A.C.﹪)分别为Ni 65.6﹪、C 23.5﹪、O 10.7﹪,该膜层厚度约为12.5 nm.
差异化营销策略研究——以"欧西莱光电子公司"为例
作者:陈磊|
刊名:现代显示
年:2007
卷:
期:12
摘要:在中国市场上,许多行业都面临同质化的问题.因此,制定一个与众不同的营销策略,形成差异化优势,是值得考虑的发展模式.本文以"欧西莱光电子公司"为例,从产品、客户需求、客户服务和市场策略等方面来讨论差异化营销.
三星光电子2007CPSE安博会满载而归
作者:
刊名:中国公共安全(市场版)
年:2007
卷:
期:12
摘要:
利用紫外光电子能谱-质谱研究CF3自由基的大气光化学反应
作者:姚立|杜林|殷实|葛茂发|
刊名:中国科学B辑
年:2007
卷:37
期:6
摘要:利用建立的光化学反应装置和自行研制的紫外光电子能谱-光电离质谱(PES-PIMS), 对CF3自由基与O2和CO的光化学反应进行了研究. 对不稳定物种CF3OC(O)OOC(O)OCF3的电子结构以及电离解离的机理进行了分析研究. 结果表明, CF3OC(O)OOC(O)OCF3的光电子能谱上出现的两个谱带分别来源于氧原子的孤对电子和CF3基团上F原子的孤对电子的电离, 其中前者比后者更容易电离. 实验得到CF3OC(O)OOC(O)OCF3的第一垂直电离能为13.21 eV, 而利用OVGF方法得到的计算值为 13.178 eV, 二者吻合很好. 结合光电离质谱, 发现在HeI紫外光辐射下, CF3OC(O)OOC(O)OCF3发生一次电离后, 母体离子通过C-O键的断裂发生异裂, 随后形成碎片离子CF3OCO+和CF3+. 研究表明, 结合光化学反应装置的紫外光电子能谱-光电离质谱有望在瞬态物种的大气光化学反应研究中得到广泛应用.

注册成为正式用户,登陆后,获得更多阅读功能与服务!
转载本文需经本平台书面授权,并注明出处:上海情报服务平台www.istis.sh.cn
了解更多信息,请联系我们

§ 请为这篇文章打分(5分为最好)