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国际半导体材料市场发展概览

供稿人:ISTIS  供稿时间:2006-8-15   关键字:半导体材料  市场  
半导体材料市场发展正在减缓。2004年,全球范围内半导体材料产业的产值为167.86亿美元,比2003年增长了17.7%。预计2005年半导体材料产业达到177.87亿美元,只比2004年增长了6%。
 
在各种材料市场中,2005年封装材料市场预计将达120.69亿美元,比2004年增长8.3%。2005年硅晶圆业务预计增长6.8%,而2004年的年度增长率为23%。绝缘硅晶圆业务期待从2004年的2.47亿美元增长到2005年的3.47亿美元。抗蚀剂业务预计在2005年增长5%,而CMP(化学机械抛光设备)消耗品的年度增长率预计为8%。2005年部分半导体材料将会出现短缺,例如200mm硅晶圆和多晶硅材料。预测2006年也会出现2005年的多晶硅短缺情况。
硅片供应增长强劲
据国际半导体设备和材料协会 (SEMI)统计,2004年全球硅片发货面积为62.62亿平方英寸,比2003年的51.49亿平方英寸大幅增加22%;销售额为73亿美元,比2003年的58亿美元增加26%。2004年第4季度的硅片发货面积为14.86亿平方英寸,比第3季度的16.29亿平方英寸减少9%,但比2003年同期的13.92亿平方英寸增加7%。
 
从数量和销售额的增长率都超过20%可以看出,2004年硅片供应增长强劲。第4季度,300mm硅片的发货面积超过了总体的15%。2004年硅片的总发货面积超过了最高纪录的2000年(55.51亿平方英寸),但销售额比2000年(75亿美元)少。因此,硅片厂家对新设备的投资仍持谨慎态度。
300mm硅片成为投资热点
2004年是全球半导体制造设备工艺技术从200mm向300mm转变的转折点。东芝、索尼、瑞萨、Elpida、NEC、富士通、松下、大木和Rohm等公司相继采用300mm工艺技术设备,使这些设备成为投资重点产品,其销售额超过日本市场销售额的50%。
 
据SEMI预测,全球200mm和300mm的硅片产量总面积将从2004年的5.85亿平方英寸增长到2006年6.63亿平方英寸。其中,2004年300mm硅片总面积为0.76亿平方英寸,2006年将增长到1.36亿平方英寸,届时300mm工艺产品产量将占总产量的20%以上。
 
图:全球200mm和300mm硅片产量现状和预测(单位:亿平方英寸)
资料来源:《中国电子报》,2005年
化合物半导体材料增长迅速
随着人们对信息的存储、传输及处理的要求也越来越高时,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料和以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料以其优越的特性成为重要的半导体材料之一,两者均为化合物半导体材料。根据Electronics.ca Publications出版的报告,2004年,全球化合物半导体相关的产品,包括材料、部件和子系统的总收入达到130亿美元,其中化合物半导体材料(即基片和晶圆)占5%-7%。该市场将以17%的年均增长率(AAGR)扩大,至2009年将达到近300亿美元。
 
在众多化合物半导体材料中,GaN材料的市场增幅最快。到2006年将达到30亿美元的产值,占化合物半导体市场总额的20%。同时,作为新型光显示、光存储、光照明、光探测器件,可促进上千万美元的相关设备、系统的新产业形成。
 
(1)美国
 
美国政府2002年用于GaN相关研发的财政预算超过5500万美元。通用、飞利浦、Agilent等国际公司都已经启动了大规模的商业开发计划。风险投资机构同样表现出很大的兴趣,近3年内向该领域总计投入了约5亿美元的资金。
 
美国RF Micro Devices公司的GaN晶圆厂已经正式批量生产,其氮化镓工艺技术源于RF Nitro Communications公司,它在2000年10月并购了后者的4英寸GaN晶圆厂。该晶圆厂还拥有磷化镓铟异质结双极晶体管(InGaP HBT)和砷化镓应变式高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)生产线。除RF Micro Devices公司外,积极开发GaN功率晶体管的厂商还有Nitronex、Rockwell、Kymam、Emcore和Microsemi等。
 
(2)日本
 
在世界化合物半导体材料的生产及销售中,日本占大多数。据日本新功能化合物半导体恳谈会统计,日本2004年上半年度(4~9月)化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)出厂金额为281亿日元,比上年同期(250亿日元)增长12%。其中GaAs增长约20%,InP增长8%,GaP与上年相同。下半年度由于库存调整增长率将会下降,但预计全年整体将比上年增长。下表为日本2004年上半年度(4~9月)化合物半导体材料出厂情况。
 
表:日本2004年上半年度(4~9月)化合物半导体材料出厂情况
品种
出厂金额(亿日元)
同比增加率(%)
说明
国内
市场
出口
总计
国内
市场
出口
总计
GaAs
129
76
205
12
31
18
用于DVD光学读取头的激光二极管(LD)需求旺盛,手机用电子器件需求增长
GaP
21
39
60
-8
5
0
由于芯片尺寸减小和GaAs系LED的增加,导致GaP材料需求无变化。
InP
6
6
12
39
-10
8
面向光通信市场的InP材料连续3年持续在11~12亿日元左右,InP材料需求下滑倾向已经停止。
其它
3.6
/
/
/
/
-4
其它材料如InSb、ZnSe、CdTe等。
资料来源:现代材料动态,2005年
 

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