第一情报 ---材料工业

第二代半导体材料砷化镓在新千年的发展

供稿人:ISTIS  供稿时间:2006-10-26   关键字:半导体  材料  砷化镓  
二十世纪九十年代以来,随着移动无线通信的飞速发展和以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。GaAs的电子迁移率是Si的6倍多,是目前最主要的高速和超高速半导体器件。目前它几乎垄断了手机制造中的功放器件市场。1995年到2000年世界GaAs集成电路市场从5亿美元增加到28亿美元,年均增长率超过50%。Needham公司预测2002年整个GaAs器件市场将超过40亿美元,而未来几年中,砷化镓晶片的年均增长速度仍将高至37%,到2004年其市值也将升至75亿美元。
 
目前全球GaAs的年产量约200多吨,其中未掺半绝缘(SI)GaAs约40吨,主要用于集成电路制造。国际上砷化镓需求以4英寸单晶材料为主,而6英寸单晶材料产量和市场需求快速增加,已占据35%以上的市场份额,8英寸的SI- GaAs单晶也在实验室拉制成功。GaAs ICs制造由3英寸向4英寸生产线的过渡已经完成,6英寸的GaAs ICs实验生产线已建成投产。
 
移动电话用电子器件和光电器件市场快速增长的要求,使全球砷化镓晶片市场以30%的年增长率迅速形成数十亿美元的大市场,预计未来20年砷化镓市场都具有高增长性。日本是最大的产品输出国,占世界市场的70~80%;日本住友电工是世界上最大的砷化镓生产和销售商,年产GaAs单晶30吨。美国在1999年成功建成了3条6英寸砷化镓生产线,在砷化镓生产技术上领先一步;美国AXT公司是世界最大的VGF GaAs材料生产商。

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