第一情报 ---材料工业

第三代半导体材料GaN在新千年的发展

供稿人:ISTIS  供稿时间:2006-10-26   关键字:半导体  材料  GaN  
第三代半导体材料的兴起,是以GaN材料P型搀杂的突破为起点,以高亮蓝光发光二极管(LED)和蓝光激光器的研制成功为标志的。GaN半导体材料的商业应用研究始于1970年,其在高频和高温条件下能够激发蓝光的特性一开始就吸引了半导体开发人员的极大兴趣。
 
由于GaN半导体器件在光显示、光存储、激光打印、光照明以及医疗和军事等领域有着广阔的应用前景,GaN器件的广泛应用将预示着光电信息乃至光子信息时代的来临,因此,以GaN为代表的第三代半导体材料被誉为IT产业新的发动机。美国政府2002年要求用于GaN相关研发的财政预算超过5500万美元。通用、飞利浦、安捷伦等国际知名公司都已经启动了大规模的GaN基光电器件商用开发计划。风险投资机构同样表现出极大的兴趣,近三年内向该领域总计投入了约5亿美元的资金。
 
在未来10年里,氮化镓材料将成为市场增幅最快的半导体材料,到2006年将达到30亿美元的产值,占化合物半导体市场总额的20%。同时,作为新型光显示、光存储、光照明、光探测器件,可促进上千亿美元相关设备、系统的新产业的形成。
 
根据美国市场调研公司Strategies Unlimited的分析数据,2001年世界GaN器件市场接近7亿美元,且处于发展初期。该公司预测即使最保守发展,2009年世界GaN器件市场将达到48亿美元的销售额。专家认为,新的GaN基应用产品的出现和电子器件向光电乃至光子器件升级等因素将使得未来GaN市场很有可能呈突变性急剧增长态势。
 
不可否认,微电子时代将逐步过渡到光电子时代,最终发展到光子时代。预计到2010年或2014年,硅材料的技术和产业发展将走向极限,第二代和第三代半导体技术和产业将成为研究和发展的重点。

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