第一情报 ---信息产业

OLED技术路线图上海研究(3)-路线图与对策建议

供稿人:顾震宇  供稿时间:2007-9-29   关键字:OLED  有机发光二极管  技术路线图  上海  中国  
1、产品发展路线图

OLED产业目前主流产品在被动式小尺寸显示屏的应用上,其未来发展趋势向着主动式、大尺寸、柔性显示、透明显示方向发展。目前国际上小尺寸OLED技术已经成熟,并得到了广泛的应用;大尺寸、柔性、透明OLED是国际研究的热点,已有样品推出,但技术还没成熟,尚未形成量产。

上海OLED产品发展路线图 

OLED小尺寸产品具有价格低,产品厚度薄等特点,目前在手机、mp3领域与TFT-LCD展开了激烈的竞争。无论是国际市场还是国内市场,小尺寸OLED的市场需求持续高速增长,并呈现严重的供不应求的局面。鉴于OLED生产线的投入仅为TFT-LCD的十分之一,建议近期目标(2006-1010期间)应当选择合适的终端产品、尽快投入小尺寸OLED产品生产线,尽量提高产品的合格率和性能,争取盈利,同时为消化吸收和二次创新以及日后形成原创的核心技术打下基础。

然而,小尺寸并没有体现OLED的核心技术优势,OLED核心优势实际上体现在大尺寸上和动态显示上。由于OLED主动发光不需要背光源,具有TFT-LCD无法比拟的先天性的成本优势。因此从长远来看,OLED市场应该定位在大尺寸电视上。尺寸上,不能切入10-20英寸之间,因为10-20英寸的应用包括显示器、笔记本均为准静态显示,40英寸以上切入市场。鉴于大尺寸OLED相关技术尚未成熟,量产技术没有得到有效攻克,这样的情况下,上海OLED产业的中期(2011-2015年)目标应当紧跟国际研发热点,开展主动式OLED所需的TFT基板的研究开发和跟踪,同时开展中等大小尺寸的主动式OLED器件的研究开发,为日后的大尺寸主动式OLED技术的开展打下基础。一旦大尺寸OLED技术成熟,上海应当适时跟进,不要再重蹈LCD产业失败的覆辙。 

此外,柔性、透明显示也是OLED的独有特性,其他平板显示器难以替代,可以广泛应用在军事领域、便携式显示器上,其应用前景十分广阔,相关研究日益成为国际研究的热点,该技术尚未得到有效突破,离商品化尚有距离。因此,上海研发上应当紧跟国际潮流,积极储备相关技术,开展柔性、透明显示的OLED相关技术的研究,将柔性OLED的产业化作为中远期目标。

2、量产技术路线图

上海OLED量产核心技术路线图 

我国在OLED产业发展的最大瓶颈在于量产设备的研究开发上面。量产设备无法自主研发的话,OLED产业发展的命脉仍将掌握在国外先进国家手中。制造业是上海的强项,OLED量产设备的研发对于上海来讲,将会有着更深层的意义。如何将上海成套设备能力强的优势发挥出来,OLED量产设备相关的技术研发将成为新型平板显示产业发展的重中之重。 

目前OLED制备工艺主要包括了真空蒸镀技术、喷墨打印技术和印刷技术。其中,蒸镀技术相对比较成熟,得到了广泛的应用,也是目前制备OLED器件的最主要的应用技术;喷墨技术、印刷技术是OLED特别是聚合物OLED制备的先进技术,尤其是印刷技术,可以大大提高制备效率、节约有机材料、降低器件的成本。但目前喷墨技术、印刷技术进入瓶颈很高,技术尚未成熟,国际上也正处于早期开发阶段。 

国内早在2000年左右就已经开始了蒸镀技术的研发,形成了一批专利技术。上海目前尚无能力开发喷墨、印刷等OLED制备领先技术,但是复旦大学和上海广电电子股份有限公司已经开展了喷墨打印制备聚合物OLED技术的研究,当然利用的仍然是进口设备。上海OLED量产技术的研发应着眼于务实角度上,近期研发重点应当放在真空蒸镀技术及其相关设备的研发。虽然在可以预见的未来真空蒸镀技术仍然将是最主要的应用技术,特别是在阴极电极的制备方面,不可能被其它技术所替代,但是从中长期看,蒸镀技术可能随着新技术的成熟,其主要作用将逐渐被弱化。因此上海在OLED器件制备方面的中远期的研发重点应当放在高效率的喷墨打印技术和印刷技术及其相关设备的研究开发上。

上海OLED产业的对策建议
1、分阶段切入OLED市场

上海应当充分利用当前OLED供不应求的良好市场局面,以及OLED投资相对较小的优势,尽快切入小尺寸OLED生产领域,在引进设备、引进技术的同时,效仿韩国和台湾在LCD领域崛起的成功经验,积极消化吸收、自主创新。上海在OLED中长期发展还是应该切入大尺寸、柔性显示和透明显示OLED领域,当前国际上在这些领域的技术未得到突破性进展,但由于发展前景极其美好,有很多国际跨国大公司都投入了巨大的财力人力和物力在积极开展这方面的研究,上海也应当积极投入相关研发工作,在“十二五”期间,随着国际上技术条件的成熟,适时切入此类领域。

2、加大自主创新力度

目前国内OLED行业存在自主研发和技术引进两条发展道路,国内大多数企业倾向于技术引进,满足于利用国外的技术从事简单的装配工作,不愿意在基础研究上多做投入。而对于尚处于兴起阶段的具有丰厚利润空间的高技术,日本、韩国等都采取严格的保护措施。专家指出,一方面,如果中国企业在技术上落后,那么获得的利润将很少,同时还要受制于人;另一方面,进行大规模的技术研发又受企业实力及其积极性的影响而不切实际,在这种情况下进行基于需求的应用创新就成为一种不错的选择。具体采取的措施可以双管齐下,对能够不花费很多费用就可以引进的技术进行技术引进的的同时,对不能引进或者代价太高的关键技术进行联合重点攻关,最终掌握全套OLED技术,实现OLED产业技术的国产化。

3、稳住上游材料供应是关键

OLED产业链中,关键在上游材料供应厂商。OLED产业要能健康发展,稳住上游材料供应是关键,否则等于被人扼住咽喉。要取得稳定的原材料供应,可以通过与上游厂商合作、向上游厂商购买专利、自主研发等。同时对已经取得自主知识产权的上游原材料积极进行从实验室合成到小批量生产最后到大规模生产的转化,实现其产业化。

4、加大量产设备研发力度

上海以制造业为主,要充分发挥上海成套设备能力强的特点,加大量产设备研发的力度。因此,在OLED相关技术研发上,应当抓住与OLED量产相关的并且上海有能力研发的核心设备研发技术,如真空蒸镀等技术的研发。

5、政府加大研发投入力度

我国OLED研究起步较早,目前虽然与欧美日韩等国家存在一定的差距,但此时加大研发投入力度,赶超是完全可能的。而上海现在从事OLED的厂商中,缺乏像三星、LG那样的大企业投入,因此政府应当积极扶持相关企业的研发工作,加大研发的投入力度。 

参考文献

[1]OLED Marketplace

http://www.universaldisplay.com/marketplace.htm

[2]DisplaySearch Updates 2006 OLED Technology Report, Lowers OLED Revenue Forecast to $4.6B in 2010

http://www.lienmultimedia.com/itnewslink/article.php?id_article=680

[3]OLED显示技术及产业化进展

http://www.chinaecnet.com/Mkt/qs055222x.asp

[4]乘风破浪正当时 看中国OLED产业发展

http://www.trulysemi.com/info_show.asp?newsid=146

[5]王力,2005OLED行业一瞥,电子产品世界,2005(10A)68-68,70,72,78

[6]冯迪砂 吴斌,OLED显示技术综述,福建电脑,2006(5)28-30

[7]陈欣,我国OLED产业战略研究,科技管理研究,2006,26(1)185-188,196

[8]屈晓声,OLED显示技术与产品发展趋势,中国电子商情:基础电子,2006(3)16-18

[9]OLED时代何时会来临

http://www.chinaecnet.com/newsview.asp?id=36297&cat=1

[10]OLED踏上“转正”路,未来将跻身便携应用主流

http://www.esmchina.com/ART_8800071398_617671_9835590b200610.HTM

[11]2005年全球 OLED出货统计报告

http://cn.fpdisplay.com/information/news/Shtml/2006429/2006429135121328.shtml

 


万方数字化期刊中相关文章
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作
作者:刘金娥|廖燕平|齐小薇|高文涛|荆海|付国柱|李世伟|邵喜斌|
刊名:液晶与显示
年:2006
卷:21
期:06
摘要:a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的.针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试.制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入.设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8 pF.运用7PEP生产工艺,制作了13 cm(5.2 in)的TFT阵列样品.对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10 μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341 cd/m2.
一种应用于OLED显示驱动芯片的CMOS升压型PFM DC-DC转换器设计
作者:贾晨|孟浩|秦波|陈志良|
刊名:液晶与显示
年:2006
卷:21
期:06
摘要:由于DC-DC芯片工作模式的多样性,电源转换器的系统结构有多种不同选择.为了电源模块的安全可靠,往往需要多种保护电路模块.文中从系统的角度,阐述了适合于OLED显示驱动电路的PFM工作模式的升压DC-DC电源转换器的原理.在此基础上,设计了一种应用于OLED驱动电路芯片的升压DC-DC电路.当输入电压为2.4~4.2 V时,输出电压可以达到15 V,负载电流最大可以达到50 mA,纹波电压小于200 mV.这个设计可以与OLED驱动芯片集成在一起,实现OLED驱动芯片和电源管理芯片的集成.
一种微型OLED显示屏驱动接口电路
作者:张雷|杨良勇|吕国强|刘劲松|
刊名:液晶与显示
年:2006
卷:21
期:06
摘要:介绍了一种采用OLED技术的微型显示屏驱动接口电路的实现.根据实际系统性能要求与指标,从硬件和软件两个方面对驱动电路进行了设计,硬件电路体积为20 mm×27 mm,兼容NTSC和PAL制式,标称功耗为300 mW;软件包实现显示初始化,软件IIC接口,组合键盘扫描等功能,同时可以方便地进行在线升级和维护.阐释了系统的硬件构成和软件流程图;最后介绍了实际的测试结果和应用.
CDT进军P-OLED市场
作者:Hordon Kim<作者个数>1
刊名:电子与电脑
年:2006
卷:
期:05
摘要:
纯化9,10-二萘蒽对OLED器件光电性能的影响
作者:李瑛|王文根|邵明|王秀如|汤昊|孙润光|
刊名:发光学报
年:2006
卷:27
期:05
摘要:合成了高稳定性蓝光主体材料9,10-二萘蒽(ADN),研究材料纯化对合成材料光电性能的影响.为进一步分析材料经升华提纯对有机电致发光器件性能的影响,以提纯前后ADN为发光层,以NPB 为空穴传输层,分别制作双层器件Ⅰ(提纯前)和器件Ⅱ(提纯后),器件结构为ITO(100 nm)/NPB(40 nm)/ADN(30 nm)/Alq3(20 nm)/LiF (1 nm) /Al (100 nm), 结果表明提纯后材料PL(Photoluminescence)光谱蓝移了2 nm,半峰全宽54.2 nm,与提纯前一致;杂质影响载流子注入效率和迁移率,对器件光电性能有显著影响,纯化前后器件最大电流效率由1.5 cd/A上升至2.5 cd/A;器件Ⅱ色纯度有较大提高,CIE色坐标由器件Ⅰ(0.15,0.10)移至(0.15, 0.06).实验结果表明材料提纯是优化器件性能的有效手段之一.

注册成为正式用户,登陆后,获得更多阅读功能与服务!
转载本文需经本平台书面授权,并注明出处:上海情报服务平台www.istis.sh.cn
了解更多信息,请联系我们

§ 请为这篇文章打分(5分为最好)