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最新纳米技术专利分析——纳米电子设备专利数以CMP最多,纳米电子微缩技术专利数以SOI最多

供稿人:马春  供稿时间:2004-11-4   关键字:纳米技术  专利  纳米电子设备  纳米电子微缩技术  
通过美国专利商标局 (U.S. Patent and Trademark Office; USPTO)的专利数据库,利用Patent Pilot 1.3专利分析软件以相关关键词作为检索条件,针对名称 (Title)和摘要(Abstract)字段进行线上专利收集,对世界纳米电子设备和纳米电子微缩技术专利进行分析,资料范围截止于2004年4月30日。
 
纳米技术发展可从专利件数、早期10%专利平均起始时间、专利平均年龄,以及专利集中度等四方面进行探讨。专利的集中度(各技术前5名专利权人占总专利件数的百分比)可表示其技术是否集中于少数厂商。百分比高则显示技术被垄断,其它厂商难以跨入其研究领域;百分比低则显示技术难度门槛低。
 
当前世界上主要的纳米电子设备,一般以化学机械研磨 (CMP)、极端紫外 (EUV)和原子层沉积 (ALD)设备为主。在专利件数方面,以CMP的3066件最高,然后EUV的232件次之,ALD的114件最低;在早期10%专利平均起始时间方面,EUV在1993年最早,然后CMP在1995年,ALD在1999年最晚;在专利平均年龄方面,CMP为3.8年最高,EUV为3.6年次之,ALD为2.0年最低;在专利集中度方面,以ALD的52.6%最高,然后EUV的46.6%次之,CMP的40.0%最低。
 
纳米电子微缩技术,以低介电(Low-k)材料、高k栅介质以及绝缘体上硅(SOI)为主。在专利件数方面,以SOI的2012件最高,然后Low-k的781件次之,High-k的165件最低;在早期10%专利平均起始时间方面,SOI在1990年最早,然后Low-k在1993年,High-k在1999年最晚;在专利平均年龄方面,SOI为5.1年最高,Low-k为3.6年次之,High-k为2.5年最低;在专利集中度方面,以High-k的69.1%最高,然后Low-k的56.1%次之,CMP 的40.5%最低。

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