定向自组装光刻专利技术态势

定向自组装光刻(DSA, Directed Self-Assembly)技术在193nm光刻技术之上，通过对嵌段聚合物进行模板导向、定向自组装形成光刻条纹，得到光刻图形。十年前，DSA作为2012年SPIE高级光刻大会的热门话题，是半导体行业的研发前沿。然而，因其具有缺陷控制等问题，随着EUV接近投产，DSA被大多数公司搁置。如今，DSA重新回归，被认为可以从根本上改善EUV光刻固有的系统性和随机性变化，再次引起了行业内的广泛关注。 在国外，JSR、默克公开定向自组装技术专利，隆德大学发文探索III-V纳米线阵列的定向自组装处理方法，芝大搭建高通量“混搭”平台筛选优化嵌段共聚物体系结构。在国内，中科院微电子研究所公开使用定向组装形成图案的方法专利，青岛芯恩公开图案化方法及图案结构专利，复旦大学发表基于深度学习的定向自组装模板设计成果，并与北京航空航天大学、华东理工大学两校合作基于贝叶斯优化研究嵌段共聚物自组装结构的反向设计。笔者梳理近期国内外在定向自组装光刻领域取得的基础研究和专利成果，供读者参考。