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2月2日，英特尔宣布与软银集团旗下子公司SAIMEMORY达成合作，共同开发一种名为Z角存储器（Z-Angle Memory，ZAM）的新型存储技术。该项目瞄准人工智能（AI）和高性能计算（HPC）对“更大容量、更低功耗、更高带宽”内存的迫切需求，被外界视为英特尔重返高端内存赛道的重要信号。
根据双方披露的信息，英特尔将主要承担技术、创新与标准相关工作，SAIMEMORY则负责技术落地并主导商业化推进，软银方面将投资约30亿日元。项目计划于2026年第一季度开始运营，2027年推出原型产品，并于2030年实现商业化。
一、英特尔从“内存霸主”到长期缺席
ZAM项目之所以引发关注，与英特尔在内存领域的历史渊源密不可分。1970年，英特尔推出了全球首款商业上取得成功的DRAM（动态随机存储器）产品，并在随后数年内一度占据全球近90%的市场份额。然而，随着日韩厂商在成本和制造上的优势不断扩大，DRAM业务利润持续下滑，英特尔最终在1985年退出该市场。
此后近四十年，英特尔虽未再直接参与DRAM量产竞争，但并未完全放弃对新型存储架构的探索。如今，在AI算力需求爆发、传统存储体系遭遇瓶颈的背景下，英特尔选择以“颠覆式架构”而非传统DRAM路线重返赛场，其背后的逻辑值得深入分析。
二、新型内存技术是“DRAM的升级版”
ZAM的技术根基，来自SAIMEMORY正在推进的一种堆叠式DRAM架构。与当前主流高带宽内存（HBM）相比，该技术旨在显著提升内存容量，大幅降低功耗，并改进封装技术，从而缓解AI系统扩展过程中的关键瓶颈。
SAIMEMORY的技术栈，源自美国能源部和国家核安全管理局支持的先进存储技术（AMT）研发计划。该计划由桑迪亚国家实验室、劳伦斯·利弗莫尔国家实验室和洛斯阿拉莫斯国家实验室联合推进，重点探索面向未来超级计算和AI系统的新型内存架构。英特尔早期正是AMT项目的重要参与方，其研究成果为堆叠式DRAM的可行性提供了关键验证。英特尔还推进了下一代DRAM键合（Next Generation DRAM Bonding，NGDB）计划，展示了更高的DRAM密度和带宽，同时降低了延迟和能耗，为ZAM奠定了核心技术支撑。
三、NGDB：弥合HBM与DDR之间的“结构性断层”
1月8日，桑迪亚国家实验室披露了研发最新进展，系统地揭示了英特尔NGDB的技术特征。当前，HBM通常通过牺牲容量或能效来换取带宽提升，而NGDB的目标正是消除这种“零和权衡”。其设计思路，是大幅提升单封装容量，并显著降低功耗，从而在HBM与传统DDR DRAM之间搭建一座“性能桥梁”。
从已公布的测试组件来看，NGDB测试组件的横截面显示了其非传统的设计：英特尔准备了四个NGDB DRAM测试组件进行评估，每个单元都构建在一个基础层上，并在其上垂直堆叠了八个DRAM层。桑迪亚国家实验室指出，该项目涉及开发一种新型堆叠方法和一种新的DRAM架构。早期原型验证了这种组装方法能够克服现有内存容量的限制，而最新的原型则展示了采用新型堆叠技术实现的全功能DRAM。
图1 NGDB测试组件横截面图
桑迪亚国家实验室首席技术人员Gwen Voskuilen表示，“此次演示证实，NGDB技术可以结合起来，提供适合大规模生产的高性能存储器”。
英特尔院士兼英特尔政府技术首席技术官约书亚·弗莱曼博士也表示：“英特尔的NGDB计划展示了一种全新的内存架构和革命性的组装方法，可显著提升DRAM性能、降低功耗并优化内存成本。标准内存架构无法满足人工智能的需求，因此NGDB定义了一种全新的方法，以加速我们迈向下一个十年。”
四、ZAM的商业雄心：直接对标HBM
ZAM项目可以被视为AMT与NGDB成果的“商业化延伸”。英特尔将把在国家实验室阶段积累的技术经验，通过SAIMEMORY这一载体导入产业体系，实现从前沿研究到全球部署的跨越。这一合作也具有明显的地缘与产业意义。SAIMEMORY背靠软银集团，日本方面还联合了富士通、日本理化学研究所等科研与产业力量，而英特尔则贡献其在先进封装、互连与系统架构方面的长期积累。
从已披露的目标参数来看，ZAM直指当前炙手可热的HBM市场。SAIMEMORY计划，通过垂直堆叠多个DRAM芯片，并结合英特尔的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术优化互连，实现以下关键指标：
1）容量：达到HBM的2-3倍，单芯片容量最高可达512GB；
2）功耗：较HBM降低40%–50%；
3）成本：量产成本控制在HBM的约60%，同时保持相近甚至更低的综合成本水平。
如果这些目标能够兑现，ZAM将不只是HBM的补充，而可能在特定应用场景中形成实质性替代，尤其是在对能效和容量高度敏感的领域。
五、ZAM可能助推英特尔的“第二增长曲线”
当然，挑战依然存在。从良率控制、生态适配，到与既有HBM标准的竞争，ZAM距离真正落地仍有多年路程。但不可忽视的是，其低功耗、高容量、差异化定位，为英特尔提供了一条避开正面价格战、切入细分市场的现实路径。
在边缘计算、中小规模AI服务器以及特定加速器系统中，ZAM有望形成独特优势。更重要的是，在CPU市场承压、代工业务亏损、AI芯片竞争激烈的多重压力下，内存体系的突破，可能成为英特尔重新定义自身增长轨迹的重要支点。从AMT到NGDB，再到ZAM，英特尔并非简单“回归DRAM”，而是在尝试以架构创新重塑内存行业的技术路线图。
资料来源：
[1] Intel. Intel and SoftBank Subsidiary SAIMEMORY Collaborate to Advance Next-Generation Memory for AI[EB/OL]. (2026-02-02)[2026-02-10].
[2] Sandia National Laboratories. From early R&D to mature technology[EB/OL]. (2026-01-08)[2026-02-10]. https://www.sandia.gov/research/news/from-early-rd-to-mature-technology/.
[3] TrendForce. Intel Reenters DRAM Race? A Closer Look at the Z-Angle Memory Collaboration with SoftBank[EB/OL]. (2026-01-08)[2026-02-10]. https://www.trendforce.com/news/2026/02/03/news-intel-reenters-dram-race-a-closer-look-at-the-z-angle-memory-collaboration-with-softbank/.
