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人工智能（AI）芯片、存储器及逻辑处理器的市场需求持续激增，成为全球半导体行业产能扩张的核心驱动力。亚洲作为全球半导体产业核心阵地，韩国、日本、中国台湾及中国大陆头部厂商纷纷加码2026年资本布局，开启新一轮晶圆代工与存储器领域扩张周期。据《日经新闻》、TrendForce等机构数据，上述区域领先半导体企业2026年计划投资总额突破1360亿美元，同比大幅增长25%，台积电、三星、SK海力士等行业巨头成为增长的核心引领者。
一、晶圆代工厂商投资创纪录，先进工艺成核心投向
全球晶圆代工龙头台积电计划2026年资本支出达到520亿至560亿美元的历史峰值，同比增长27%至37%，其中70%至80%资金将投向先进工艺研发与产能建设，剩余资金用于特殊工艺节点及先进封装技术布局，持续巩固高端代工优势。
中国大陆最大晶圆代工厂中芯国际维持高位资本开支，投资规模与年度营收基本持平，主要聚焦中国大陆本土产能建设。中芯国际2026年资本支出将与2025年基本持平，仍保持在80亿美元以上，稳步推进本土半导体产能升级。
二、存储器厂商聚焦HBM，差异化战略抢占AI赛道
存储器领域迎来全面扩产潮，头部企业围绕高带宽存储器（HBM）展开差异化竞争，投资方向精准对标AI服务器需求，同时二线厂商也同步加大投入，行业格局加速重构。
（1）头部厂商分路布局，产能倾斜高端HBM
韩国三星资本支出预计同比微增3.7%，重点推进其位于平泽园区的P4、P5工厂建设，采用存储器制造与逻辑代工业务一体化园区模式，打通HBM制造至系统级封装全流程。2026年三星动态随机存取存储器（DRAM）产量计划提升20%，新增产能主要用于HBM4的10nm第六代（1C）DRAM产品，不过一体化布局也面临存储器与代工资源调配的平衡难题。
韩国SK海力士坚持专业化存储器路线，资本支出预计同比增长24%，大手笔投入21.6万亿韩元（约150亿美元）建设龙仁晶圆厂集群，专攻下一代DRAM工艺，部署大规模EUV产线与专用HBM后端设施。公司已完成清州M15X工厂产能准备，大幅上调1C DRAM产能目标，预计2027年第一季度末月产能有望翻倍至17万至20万颗，几乎是原先每月9万颗目标的两倍。同时加速龙仁工厂建设，将首个洁净室启用时间提前至2027年2月，依托覆盖利川、清州和龙仁的分层生产网络巩固高端存储器市场地位。
值得注意的是，美国美光科技采取地域多元化战略，依托政府激励同步推进纽约州、爱达荷州新厂建设，分散供应链风险。尽管该公司在HBM3e能效方面仍保持竞争力，但其建设周期相对于SK海力士龙仁项目而言更长，这意味着其全球产能将在2027年之前持续处于爬坡阶段。
此外，日本铠侠-闪迪合资联盟发力NAND闪存领域，2026年资本支出预计激增40%，全力推进NAND产能扩张，抢占存储芯片市场份额。
（2）二线厂商逆势加码，投资规模大幅攀升
二线存储器制造商也迎来投资爆发期，加速追赶头部企业。中国台湾华邦电子2026年计划投资421亿新台币（约13.1亿美元），投资额接近2025年的八倍，依托其NOR闪存、传统定制DRAM产品优势，预计2026年第一季度产品均价涨幅超30%。全球第五大DRAM制造商、同为台湾厂商的南亚科技，在经历近三年市场低迷后，2026年资本支出翻倍至500亿新台币（约15.6亿美元），创下历史新高，新建工厂预计2028年上半年投产，月产能达2万片晶圆，进一步完善行业产能布局。
本轮存储器扩产标志着行业投资逻辑彻底转变，从以往跟随价格周期调整产量，转向需求驱动、提前布局产能的新模式。业内观察人士指出，各大厂商的扩产计划，本质是抢占2027至2030年全球供应份额的提前布局，率先完成核心产线建设并实现量产的企业，将在未来订单谈判中掌握绝对主动权。
图 亚洲领先半导体厂商2026年资本支出情况
参考文献：
[1] Trendforce. SK Hynix Commits Additional USD 15 Billion, Escalating Fab Expansion Race among Memory Giants[EB/OL]. (2026-03-05) [2026-03-23].
[2] Trendforce. Asia’s Chipmakers Reportedly Eye $136B Spend in 2026, Up 25% YoY, Spanning Foundry and Memory[EB/OL]. (2026-03-04) [2026-03-23].
