2026年半导体十大趋势

半导体产业是支撑现代科技发展的基石，对人工智能、通信、能源等关键领域具有战略意义，全球各国持续加大投入以抢占技术制高点。在产业界和科研界不断努力下，半导体技术持续实现突破，如麻省理工学院通过垂直堆叠逻辑与存储单元，研制出低缺陷、高能效的存储晶体管，有望显著降低AI芯片功耗，缓解数据中心因AI爆发带来的能源压力；Wolfspeed公司则成功量产全球首批300毫米单晶碳化硅晶圆，推动SiC技术迈入新阶段，大幅提升AI数据中心、AR/VR设备及高压电力系统的能效与集成度。

StartUs Insights公司是一家总部位于奥地利维也纳的全球科技情报与创新分析公司，利用人工智能（AI）为大型企业、投资机构和政府提供新兴技术趋势、初创企业发现和行业创新洞察服务。他们对 2000 多家半导体初创企业和成长型企业深入研究，于2026年1月发布《2026年半导体十大趋势和创新》报告。

StartUs Insights依托自主研发的 StartUs Insights Discovery Platform编制报告，该平台覆盖全球超过700万家初创企业、2万项技术与趋势，以及1.5亿余份专利、新闻文章和市场研究报告。首先评估自有数据库中的初创企业数据，并结合外部研究资料（包括行业报告、新闻报道和市场分析）进行交叉验证，从而识别出半导体行业中最具影响力和创新性的技术趋势。针对每一项趋势，选择两家具有代表性的初创企业。

2026年及以后十大半导体技术趋势是：

1. AI计算与定制芯片爆发式增长

随着人工智能重塑数据中心的经济模型，超大规模云服务商（hyperscalers）的资本支出大幅攀升。2024年，亚马逊、微软、Alphabet 和 Meta 的资本支出合计同比增长约54%，年新增投入近800亿美元，凸显AI已成为投资的核心优先级。

摩根士丹利预计，2025年全球AI相关支出将达到3000亿美元；HyperFrame Research已将其预测上调16%，至3350亿美元。据《卫报》报道，截至2025年年中，全球AI总支出已超过1550亿美元，预计下一财年将突破4000亿美元。

这场AI算力浪潮的核心是英伟达（NVIDIA）。其数据中心收入2026财年第一季度（截至2025年5月28日）飙升至391亿美元，同比增长73%。其GB200 NVL72架构相较H100可提供高达30倍的大语言模型（LLM）推理性能，推理令牌生成量增长了十倍。

然而，冷却基础设施和服务器供应亟需跟上需求。随着资金从通用系统转向GPU和专用ASIC，预计2025年AI服务器出货量将增长逾20%。单机柜功耗已达130–140 kW，谷歌更指出新一代AI设施正迈向“每机柜1兆瓦”设计。在此背景下，液冷技术采用率预计将从2024年的14%激增至2025年的33%以上，增长超四倍。与此同时，电力消耗规模持续扩大。国际能源署（IEA）指出，AI将成为推动全球数据中心用电量增长的首要因素。

网络设备供应商亦从中受益。2025年第一季度，博通（Broadcom）AI半导体收入达41亿美元（同比增长77%），第二季度进一步增至超44亿美元（同比增长46%），反映出超大规模客户正将定制ASIC与英伟达平台协同部署。

Arm公司预计，到2025年，近50%的超大规模计算将基于Arm架构；IDC则预测Arm服务器出货量将增长70%。

为满足AI加速器的强劲需求，台积电（TSMC）计划在2025年再度扩大其“芯片-晶圆-基板”（CoWoS）先进封装产能。

代表性初创企业：

Rebellions：提供领域专用AI处理器

Rebellions是一家韩国初创公司，专注于开发领域专用AI处理器。该公司通过融合硅基硬件架构与深度学习算法来构建AI加速器。其核心技术采用“硅核”（silicon kernels）动态重构处理器架构，使其适配复杂的深度学习算法。这种专用AI硬件可显著加速机器学习计算、提升性能并降低部署成本。

SEMIFIVE：提供定制化芯片平台

SEMIFIVE是另一家韩国初创企业，提供面向特定用途的定制芯片平台。该平台集成经过硅验证的IP核与优化的设计方法学，以提升系统级芯片（SoC）解决方案的整体效能。其流程采用持续集成与持续部署（CI/CD）覆盖整个配置周期，并将客户需求直接融入设计阶段，支持环境仿真与潜在问题分析。这一方法使中小企业在减少外包依赖的同时，有效降低成本、控制风险并缩短交付周期。

2. 芯粒、3D IC 与先进封装

人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的需求正推动先进封装市场快速增长。2025年第二季度，该领域收入已突破120亿美元，预计到2030年将飙升至830亿美元。更广泛的3D IC与2.5D IC封装市场将以10.7%的复合年增长率（CAGR）扩张，预计到2034年市场规模将达到1675.7亿美元。据Coherent Market Insights（CMI）预测，全球先进芯片封装市场规模将在2025年达到503.8亿美元，并于2032年增至798.5亿美元。

产能扩张由台积电（TSMC）引领。其CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）封装产能在2022至2026年间以约50%的CAGR增长。

封装形态正突破光刻机掩模版尺寸限制。2025年，业界已开始量产接近6倍掩模版面积（约5148 mm²）的“超级载板”（super-carrier）中介层（interposer）。目前，台积电CoWoS-S中介层面积约为3.3倍掩模版（约2700 mm²）。这一演进得到英伟达封装策略的支持。尽管近两年内CoWoS产能已提升四倍，封装环节仍是制约产能的关键瓶颈。安靠（Amkor）计划在2025年投入约8.5亿美元用于高密度扇出型封装（Fan-Out）、系统级封装（SiP）及测试能力建设。日月光（ASE）则因AI对先进封装产线的巨大压力，将2025年资本支出提高至约55亿美元，并将其槟城工厂面积从约100万平方英尺扩建至340万平方英尺以应对需求。

3D堆叠与混合键合（Hybrid Bonding）技术也在加速发展。设备制造商预计2025年下半年对混合键合的需求将持续上升，而英特尔正大力推广其Foveros Direct技术（铜-铜直接键合）。

代表性初创企业：

TSD Semiconductor：研发先进封装设备

TSD Semiconductor（北京特思迪半导体设备有限公司）是一家中国初创公司，专注于先进封装设备制造。其产品线包括晶圆减薄、化学机械清洗、研磨及抛光设备，广泛应用于倒装芯片（Flip Chip）组装、晶圆凸点（Wafer Bumping）及系统级封装（SiP）生产。其表面处理设备可帮助芯片制造商实现更薄的芯片厚度，从而优化半导体性能并提升电学表现。

JetCool：提供芯片级液冷技术

JetCool 是一家美国初创企业，开发“流体直触封装”（fluid-to-package）冷却解决方案。该技术采用微对流液体冷却原理，通过密集流体喷射阵列直接冷却芯片表面，显著提升高功耗微电子器件的散热效率。其直触芯片（direct-to-chip）冷却方式无需导热硅脂或界面材料，节省空间，有利于高密度先进封装。此外，FleX 与 JetCool 正合作开发支持液冷的AI与高密度计算服务器。

3. 高带宽存储器（HBM）

高带宽存储器（HBM）凭借在成本与性能上的综合优势，正迅速成为AI系统的核心组件。因其在AI加速器中的关键作用，HBM收入预计将在2025年翻倍，达到近340亿美元。

HBM在DRAM总价值和总容量中的占比持续攀升：2024年已占DRAM销售额的约20%；其占DRAM总比特容量的比例也从2023年的2%、2024年的约5%，预计在2025年将超过10%。HBM已成为整个存储产业的关键增长引擎。Yole Group预测，2025年全球存储市场总收入将接近2000亿美元。2025年初，HBM价格预计上涨5–10%，TrendForce则预测其总可寻址市场（TAM）规模将超360亿美元。

SK海力士（SK hynix）于2025年3月已向客户交付12层堆叠的HBM4样品，带宽突破2 TB/s；而36 GB容量的12-high HBM3E已于2024年底进入量产，单堆栈带宽超1.2 TB/s。系统架构也在同步演进。美光（Micron）预计到2025财年末将占据23–24%的HBM市场份额，其2025财年第三季度HBM销售额环比上季度增长约50%。

此外，Compute Express Link（CXL）等以内存为中心的互连架构正逐步落地实际应用。三星此前已展示512 GB CXL内存模块，并已开始大规模量产128 GB CXL 2.0 DRAM。

代表性初创企业：

UnifabriX：开发CXL内存解决方案

UnifabriX 是一家以色列初创公司，提供基于CXL的“Fabric上的内存”（Memory over Fabrics）解决方案。其系统在一个2U机箱内集成32 TB DDR5 DRAM，并通过CXL/UALINK协议在服务器间共享内存资源。该方案构建了快速、可扩展且高效的AI与高性能计算（HPC）数据中心内存基础设施，帮助企业显著降低DRAM使用量与总体成本。

XCENA：推出计算型内存

XCENA 是一家韩国公司，开发“计算型内存”（Computational Memory）——一种基于CXL、以内存为中心的架构，将计算单元嵌入内存模块中，使计算更靠近数据，减少数据搬运开销。该架构利用数千个自研64位RISC-V核心卸载主处理器计算任务，并通过垂直优化的片上缓存缓解外部内存访问延迟。同时支持软件定义的内存资源分配，减少DRAM闲置，提升系统效率。该公司已于2025年8月在“未来存储与内存大会”（FMS）上发布了其MX1计算型内存产品。

4. 汽车芯片：单车硅含量与ECU物料清单成本约2300美元

电子系统正驱动汽车的关键功能，包括软件定义架构、电动化以及安全合规性。每辆汽车中半导体与电子控制单元（ECU）含量的持续提升，是硅在汽车领域实现结构性增长的显著标志。

根据标普全球移动出行（S&P Global Mobility）的估算，2025年全球平均每辆车的ECU成本为1982美元，北美地区则达2256美元。汽车半导体行业预计将以7.29%的复合年增长率（CAGR）持续扩张，市场规模将在2025年达到1005亿美元，并于2030年增至1428.7亿美元。

随着软件定义汽车和ADAS需求不断攀升，且库存周期趋于稳定，标普全球预计汽车半导体在2025–2026年将实现16.5%的同比增长。全球轻型车（LV）销量预计将在2025年达到8960万辆，为半导体单车含量的增长奠定基础。车辆销量仍是支撑该增长的核心支柱。

此外，车载计算平台正快速扩张。高通2025财年第三季度汽车业务销售额达9.84亿美元，同比增长21%。公司目前拥有450亿美元的设计订单管道，其中约150亿美元来自ADAS相关项目。英伟达在2026财年第一季度报告汽车业务收入为5.67亿美元（同比增长72%），主要由L2+级平台和集中式计算架构的增长驱动。

然而，需求也受到法规要求的锁定。智能速度辅助（ISA）、自动紧急制动（AEB）、车道保持等要求正作为欧盟《通用安全法规》（GSR，2024–2029年实施）的一部分，被集成到摄像头、雷达、微控制器（MCU）和车载网络芯片中。

汽车电子架构也正从多个独立ECU转向中央计算单元与区域/域控制器相结合的模式。2025年，用于域连接的车载以太网市场规模预计将达到33.6亿美元，并有望实现两位数增长。随着ADAS技术日益普及，单车电子物料成本持续上升，高端市场已将硅芯片（含ECU物料清单）预算设定在每辆车约2000至2300美元。

代表性初创企业：

云途半导体：开发车规级芯片组

中国无晶圆厂半导体初创公司云途半导体（Yuntu Semiconductor）开发车规级芯片组。该公司专注于集成电路设计，为客户提供自主芯片组解决方案。其车规级微控制器（MCU）芯片具备高稳定性与高安全性，适用于电子控制单元（ECUs）、发动机、燃油系统、信息娱乐系统、自动驾驶系统等场景。

Lidwave：开发汽车系统级芯片

以色列初创公司Lidwave开发汽车专用系统级芯片（SoC）。其专利传感架构适用于3D感知行业，采用基于时间的轻量化片上系统设计。该方案使制造商能够开发不受带宽限制的激光雷达（LiDAR）解决方案，从而提升驾驶辅助系统的安全性与可靠性。

5. 2nm竞赛与埃米级技术路线图

2nm级逻辑芯片正进入量产阶段，由全环绕栅极（GAAFET）晶体管、背面供电技术及不断演进的EUV策略共同推动。

2025年初，台积电已在宝山厂区使用其N2（2nm）工艺完成约5000片晶圆的风险试产，良率已达60%左右，显著高于大规模量产要求。预计到2025年底，月产能将达5万片晶圆，并在2026年进一步提升。其埃米级A16（1.6纳米，采用背面超级电源轨）和N2P（2nm“增强版”）工艺计划于2026年下半年推出。

三星也在加速推进。据称其2nmGAA工艺良率已从20–30%提升至40%以上，基于该工艺的Exynos 2600原型芯片目前已进入量产阶段，将于2025年下半年全面投产。

英特尔则通过背面供电与埃米级技术取得进展。其18A节点（1.8纳米级别）采用RibbonFET晶体管和PowerVia背面供电技术，计划于2025年下半年量产。相比前代工艺，该架构可提供25%更高频率、36%更低功耗以及30%更高密度。

2025年第一季度，台积电在全球晶圆代工市场占有率约为67.6%，三星以约7.7%位居第二。2025年第二季度，ASML交付了首台High-NA EUV光刻机（EXE:5200B），生产效率提升超60%，实现高吞吐量光刻。目前台积电在A16节点仍沿用Low-NA EUV，而英特尔计划在2027–2028年的14A节点引入High-NA EUV。

代表性初创企业：

AlixLabs：推进原子层刻蚀间距分割技术

瑞典初创公司AlixLabs开发了APS（原子层刻蚀间距分割）工艺。该技术通过对现有纳米结构进行刻蚀分割，在无需额外光刻掩模或EUV曝光的情况下实现10纳米以下特征尺寸。该工艺可集成到标准300毫米逻辑与DRAM晶圆的现有产线中，并支持氮化镓（GaN）等功率电子衬底，有效应对传统光刻的物理极限与高成本挑战。

Rapidus：提供2nm全环绕栅极（GAAFET）晶体管

日本初创企业Rapidus提供基于GAAFET晶体管的2nm逻辑芯片。其AI驱动的设计支持平台利用制造数据指导设计决策，并通过设计-制造协同优化实现实时对齐，大幅减少迭代周期。

6. 供应链地缘政治与产业回流

2025年，由美国政府主导的产业回流、近岸外包及政策驱动的供应链重组显著加速，地缘政治如今已主导半导体产业战略。然而，由于劳动力短缺、公用设施限制和审批延迟，项目执行风险依然高企。

截至2024年底，美国商务部完成向19家企业拨款306亿美元，其中台积电、英特尔和三星各自获得超60亿美元合同。2024年10月至2025年4月期间，半导体相关公告仅占全部回流活动的约5%，却带动了1026亿美元的资本支出，占同期外国直接投资总额的三分之二，并创造了超过17,600个新就业岗位。

企业层面的投资同样巨大：格罗方德计划投资160亿美元扩建其在佛蒙特州和纽约州的业务；英特尔正扩大其在亚利桑那州和俄亥俄州的运营；台积电则在亚利桑那州建设一座投资400亿美元的晶圆厂。全球晶圆厂建设热潮仍在持续。麦肯锡预计，到2030年，行业将在制造领域投入约1万亿美元。

截至2025年8月，印度已批准10个半导体项目，包括3D封装设施和大规模晶圆厂，并提供总计约16亿印度卢比（INR）的激励支持。

据麦肯锡报告，中国台湾地区成熟制程逻辑芯片工厂的运营成本比其他地区低35%，但建厂成本高10%；相比之下，中国大陆通过补贴，可使资本支出和运营成本分别降低40%和20%。然而，执行风险依然存在。台积电在德国德累斯顿、英特尔在马格德堡的项目均出现工期延迟。格罗方德通过在纽约州将前端晶圆厂与后端封装/光子设施配套建设，凸显了全栈式供应链去风险化所需的时间周期。

代表性初创企业：

SourceSentinel：确保防伪溯源

美国初创公司 SourceSentinel 提供名为 LeadID 的条码数据平台，为元器件全生命周期建立单一可信数据源。该条码可捕获并传递关键信息，供所有供应链伙伴访问，包括客户自定义数据、假冒识别指标和产品变更通知，从而帮助电子制造商实现精准追溯与准时化（JIT）生产。

iVP Semi：推动本地化半导体生产

印度无晶圆厂初创公司 iVP Semi 专注于为电动汽车、可再生能源、工业自动化和消费电子领域提供本地制造的高性能功率半导体模块，产品线包括 MOSFET、DC-DC 转换器、LDO 稳压器、EV 充电器、整车控制器（VCU）等。该公司帮助电子制造商减少进口依赖，降低供应链风险、成本与交付延迟。

7. 光子学与量子集成

凭借突破带宽瓶颈和推动量子技术标准化的潜力，光学I/O与量子就绪型半导体正从实验室演示迈向主流技术路线图。共封装光学（CPO）与硅光子学正快速进入产业化阶段。

英伟达在2025年GTC大会上展示了基于CPO的交换机——Spectrum-X（以太网）和Quantum-X（InfiniBand），作为下一代AI集群的核心。相比传统模块，这些交换机具备10倍更强的抗干扰能力、63倍更高的信号完整性，以及3.5倍更优的能效。Spectrum-X提供100–400 Tb/s聚合带宽；Quantum-X通过144个800 Gb/s端口实现115 Tb/s吞吐量，并采用液冷设计以支持长期运行。两者将于2025或2026年正式商用。英伟达的路线图从1.6 Tb/s光引擎起步，与台积电COUPE平台对齐，后续将通过CoWoS封装实现6.4 Tb/s，并最终在单一封装内达到12.8 Tb/s，标志着先进封装中集成光子学浪潮的到来。博通（Broadcom）已在其32套CPO系统上累计运行5万小时，目标是到2025年底突破20万小时。2025年3月，LPO-MSA联盟发布了首个面向100/200/400/800 G的无DSP光模块同步规范，表明早期标准正在快速完善。

在量子领域，Sparrow公司完成2150万欧元A轮融资，用于商业化确定性片上单光子源；QuiX Quantum则融资1500万欧元，目标是在2026年打造全球首台基于单光子的通用量子计算机。

2025年将成为关键转折点，尤其是AI互连网络的部署。Yole Group预测，硅光子集成电路芯片市场将以45%的复合年增长率扩张，到2029年规模将超8.63亿美元，印证生态系统正在快速扩展。一项近期经同行评审的研究已成功将300毫米产线兼容的超导量子比特（transmon）集成至CMOS工艺中，相干时间（T1、T2）超过100微秒，表明大规模量子制造初具可行性。与此同时，Quantum Motion公司的Bloomsbury芯片在22FDX工艺节点上集成量子比特与低温控制电路，弥合了量子与经典计算的集成鸿沟。

代表性初创企业：

NcodiN：提供片上光互连网络

法国公司 NcodiN 开发了名为 NConnect 的片上光网络（Optical NoC）。其激光源体积极小，能耗低于0.1皮焦/比特（pJ/bit），每平方米可支持超10,000个设备，单位面积带宽远超铜互连。该技术帮助半导体公司规避铜互连瓶颈，高效构建芯粒（chiplet）架构。

Deteqt：制造金刚石量子传感器

澳大利亚初创公司 Deteqt 提供金刚石量子传感器。其方案将毫米级金刚石晶体集成于定制硅芯片之上，无需冷却或笨重光学系统，即可将环境磁场转化为高精度、矢量解析的数据。此外，公司将全部传感与处理电路集成于手持式、小型化、轻量化、低功耗（SWaP）设备中，适用于导航、资源勘探、生物医学及环境监测等领域。

8. 边缘AI与领域专用处理器

边缘AI现已广泛用于终端设备上的推理任务，这一趋势体现在硅IP收入的增长上。

AI数据中心与高端边缘设备对芯粒、子系统和多芯片集成的需求激增，推动2025年第一季度电子设计自动化（EDA）与硅IP总收入同比增长12.8%，达50.98亿美元（2024年同期为45.22亿美元）。

AI PC正迅速普及。IDC预测，到2026年，57%出货的PC将集成神经网络处理单元（NPU）。例如，英特尔Lunar Lake NPU算力达48 TOPS，高通Snapdragon X Elite则为45 TOPS。这些性能指标已确立企业级设备的基准，并符合微软Copilot+对“至少40 TOPS”的要求。

此外，“生成式AI智能手机”数量快速增长。Counterpoint预计，到2025年全球将有超4亿台此类设备，占智能手机总市场的近三分之一。

代表性初创企业：

EDGED：开发神经网络芯片

英国初创公司 EDGED 为边缘计算提供神经网络芯片。其架构采用专用计算模块，集成矩阵与向量运算单元，避免了传统方案中需多次复制可编程核心的做法。该设计减少了指令解码开销，使张量处理器单元（TPU）能更高效地打包数据，从而在有限功耗下显著提升响应速度与性能。

Anari：提供个性化芯片

美国初创公司 Anari 提供AI驱动的可重构个性化芯片，其能效优于传统GPU，可快速定制计算基础设施。例如，其Thor X芯片结合硬件加速与机器学习模型，实现更快数据处理。该“云上芯片”（system-on-cloud）技术还利用语义分割处理云端数据，用于3D应用。由此生成的高精度图像信息可应用于地理空间情报、3D建筑建模、数字孪生及元宇宙等领域。

9. 宽禁带功率半导体（SiC 与 GaN）

碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体正从专用器件向多个行业的基础架构演进。

在GaN领域，Navitas创下新高：2024年设计中标额达4.5亿美元，GaN收入同比增长超50%，主要得益于电动汽车和数据中心的应用。2024年下半年，GaN与SiC已开始进入数据中心。截至去年，全球SiC制造领域的投资总额已超过300亿美元。

英飞凌（Infineon）正为GaN和SiC开辟新的产能规模。公司计划生产300毫米GaN晶圆，首批客户样品将于2025年第四季度交付，目标是使GaN成本结构向硅基器件靠拢。此前，英飞凌已于2025年第一季度推出首款200毫米SiC器件，并在马来西亚居林（Kulim）和奥地利菲拉赫（Villach）工厂分阶段爬坡量产。在美国，MACOM正加速GaN基础设施建设。依托《芯片法案》最高7000万美元的资助，该公司宣布了一项为期五年、总投资3.45亿美元的扩产计划。在欧洲，安世半导体（Nexperia）也在拓展其宽禁带半导体能力——将在汉堡投资2亿美元，用于提升200毫米产线上SiC和GaN的产能。

据Yole预测，SiC器件（尤其是车用产品）到2030年将实现约103亿美元的年化营收（复合年增长率约20%）。GaN功率器件的增长则将由超快充、工业电源及AI数据中心供电系统驱动。2023年，约28%的纯电动车（BEV）电驱逆变器已采用SiC。随着800V高压平台（SiC含量更高）的普及，这一比例持续上升。2025年第二季度，美国快充网络中功率≥250 kW的充电端口占比从24%升至38%。

在AI数据中心，基于GaN的高密度直流转换与高压直流（HVDC，约800V）架构正日益普及。

产学研合作也在支撑未来技术管道。例如，安世半导体在汉堡工业大学（TU Hamburg）设立教席，以加速宽禁带半导体研究，并为全球能源转型培养下一代人才。

代表性初创企业：

EPINOVATECH：开发基于GaN的芯片

瑞典初创公司 EPINOVATECH 为晶体管器件制造GaN芯片。其专有技术“NovaGaN”在纳米尺度强化硅衬底，并在其上沉积一层薄GaN材料。该工艺提升了热导率、击穿耐压和开关速度，从而优化芯片尺寸并降低功耗。由此，EPINOVATECH 的方案实现了可扩展、高性价比的微芯片系统。

NXPEC Technologies：构建先进电力电子转换器

印度公司 NXPEC Technologies 提供先进的电力电子转换器。其硅基充电器支持车载与非车载应用，而基于GaN的车载充电器则具备超紧凑、轻量化设计，并集成健康状态监测功能。这些产品帮助电动汽车企业减少内部开发负担，加速上市进程。

10. 可持续发展与碳减排

尽管半导体产业预计到2030年市值将接近1万亿美元，但其2024年已排放约1.9亿吨温室气体，可持续发展已成为行业重大挑战。

据威立雅（Veolia）报告，一座大型晶圆厂每日可消耗159万立方英尺水量，产生超5000吨废弃物，并使用逾10万兆瓦时（MWh）电力。仅集成电路（IC）制造一项，每年就造成约1.85亿吨二氧化碳当量排放。水资源压力同样严峻，到2035年，单座晶圆厂每日或需高达500万加仑的超纯水。台积电一家在2023年就使用了1.01亿立方米水——生产1000加仑超纯水需消耗1400–1600加仑市政供水。

台积电截至2024年底已签约4.4吉瓦（GW）可再生能源，每年可避免约523万吨二氧化碳当量排放。公司还提前其RE100目标，计划2030年实现60%绿电使用，2040年达成100%。苹果公司也已获得26家半导体供应商对含氟温室气体（F-GHG）减排超90%的承诺。

代表性初创企业：

Hard Blue Si-Carbons：提供再生碳化硅

美国初创公司 Hard Blue Si-Carbons 利用农业废弃物生产再生碳化硅，用作半导体研磨材料。不同于传统将生物质转化为燃料的做法，该公司从农业残余物中回收碳化硅，并通过化学方法将其与碳结合，制成具有工业价值的碳化硅产品。

Digitho：提升芯片可追溯性

加拿大初创公司 Digitho 提供“裸芯标识即服务”（die identification as a service），以增强芯片全生命周期追溯能力。鉴于现代半导体包含来自多条供应链的子部件，追踪极为困难。为此，该公司开发了数字光刻技术，使制造商能在晶圆级对每颗芯片进行唯一标识，并结合数字验证技术收集历史数据，支持材料回收。此举推动循环经济，减少对原生原材料的依赖。

参考文献：

[1]Discover the Top 10 Semiconductor Trends To Watch in 2026[EB/OL].(2026-1-9)https://www.startus-insights.com/innovators-guide/semiconductors-trends-innovation/

[2]Wolfspeed makes 300mm SiC breakthrough[EB/OL].(2026-1-12)https://compoundsemiconductor.net/article/123216/Wolfspeed_makes_300mm_SiC_breakthrough

[3] MIT's chip stacking breakthrough could cut energy use in power-hungry AI processes[EB/OL].(2026-1-14)https://www.livescience.com/technology/computing/mits-chip-stacking-breakthrough-could-cut-energy-use-in-power-hungry-ai-processes