High-NA EUV已用于芯片量产，英特尔、台积电、三星公布最新应用进展

2026年9月，阿斯麦与英特尔、台积电、三星相继公布High-NA EUV技术的最新进展与合作计划。High-NA EUV是高数值孔径极紫外光刻的简称，与现有0.33数值孔径的EUV设备相比，它将数值孔径提升至0.55，单次曝光分辨率从13纳米提升至8纳米，被视为延续摩尔定律的关键工具。

一、英特尔：High-NA EUV 已进入芯片大批量生产阶段

2026年9月7日，Intel Foundry与阿斯麦发布联合新闻稿，宣布High-NA EUV已用于部分Core Ultra Series 3处理器生产层的大批量生产。该技术已在认证、研发及部分生产层中处理超过一百万片晶圆，套刻精度、吞吐量和设备可用性均达到预期。18A工艺中采用High-NA的层，性能达到或优于采用传统EUV处理的同类层。英特尔是目前唯一将High-NA EUV用于芯片大批量生产的芯片制造商。

英特尔18A工艺为1.8纳米级别，是其近年来最重要的制程节点，Panther Lake是首款采用该工艺的量产产品，于2026年1月在CES发布。在掩模版方面，英特尔近期聚焦6英寸掩模版的启用，无论是否采用拼接，同时推动向6×12英寸掩模版过渡，在High-NA部署上处于先行者位置。

二、台积电：联合发起行业协作倡议，2030年量产

2026年9月8日，阿斯麦与台积电宣布联合发起行业协作倡议，推动半导体行业从6英寸掩模版向12英寸过渡，以最大化High-NA EUV光刻的价值。该倡议目标是2031年建成12英寸掩模版试产线，2033年实现High-NA光刻系统在先进节点量产的全面就绪。

High-NA EUV使用0.55数值孔径的光学系统，单次曝光分辨率可达8纳米，优于现有0.33数值孔径设备的13纳米。但配合6英寸掩模版时，其曝光场面积仅为传统设备的一半。制造大尺寸芯片时，要么将两个曝光场拼接，要么转向多芯粒设计，两者都会增加工艺复杂度。12英寸掩模版的目标正是恢复完整曝光场，消除拼接限制。High-NA EUV技术成功实施后，系统生产力可提升40%。该技术的采用将沿器件缩放路线图逐步推进，先使用6英寸掩模版，再过渡到12英寸掩模版。

台积电此前曾因成本问题，对采用单价约4亿美元的High-NA EUV机器持谨慎态度。其部署因此分为两个阶段：第一阶段从2030年开始，以6英寸掩模版为基础，将High-NA EUV引入先进节点的高量产；第二阶段则要等到12英寸掩模版生态成熟，试产线预计2031年建成，生产就绪则要等到2033年。

三、三星：2028年率先用于DRAM，加入行业协作倡议

2026年9月8日，三星与阿斯麦宣布扩大战略合作。三星将加入行业倡议，推动下一代12英寸掩模版技术，并计划2028年率先在业界将High-NA EUV应用于未来的DRAM量产，这将是High-NA EUV首次用于存储芯片的量产。

选择DRAM率先落地，是因为High-NA EUV有望延长DRAM缩放路线图，改进的分辨率可实现工艺简化与效率提升。与此同时，三星加入12英寸掩模版倡议，与行业伙伴共同开发所需的掩模版技术及配套基础设施，并凭借在存储与代工领域的经验，在12英寸掩模版过渡中发挥作用。

三星此前已于2025年3月在韩国引入High-NA EUV设备，为后续量产做准备。三星表示，AI时代正在改变半导体行业，公司致力于通过突破性技术和强大伙伴关系保持先进制造领导地位。阿斯麦则表示，三星多年来是其最重要的创新伙伴之一。

将三家公司的计划放在一起，可明显看出，英特尔进度最快，High-NA EUV已应用于芯片量产，覆盖Panther Lake部分生产层，累计处理晶圆超过一百万片。三星次之，计划2028年率先将High-NA EUV用于DRAM量产。台积电则最为审慎，拟2030年用于先进节点量产，且初期仍依赖6英寸掩模版。 

参考文献：

[1] TSMC’s High-NA Plan Gives ASML a Catalyst, but Investors Face Two Different Timelines[EB/OL].(202609-09)https://finance.yahoo.com/markets/stocks/articles/tsmc-high-na-plan-gives-101831920.html

[2] ASML, TSMC Target 40% High-NA Productivity Gain. The Catch Is a 2033 Timeline[EB/OL].(2026-09-10)https://finance.yahoo.com/technology/articles/ASML-tsmc-target-40-high-125155266.html

[3] Intel Stock Surges 9% as High-NA EUV Breakthrough Puts $106 in Focus[EB/OL].(2026-09-09)https://www.tradingkey.com/analysis/stocks/us-stocks/262157938-intel-stock-high-na-euv-intc-breakout-106-tradingkey

[4] Intel Foundry and ASML Collaborate to Accelerate Industry Readiness for High-NA EUV[EB/OL].(2026-09-07)https://www.intel.com/content/www/us/en/newsroom/news/intel-foundry/intel-foundry-ASML-accelerate-industry-readiness-for-high-na-euv.html

[5] ASML Shares Jump on Breakthrough Chipmaking Plans With Intel and TSMC[EB/OL].(2026-09-09)https://www.tradingview.com/news/gurufocus:d2c6b5cf2094b:0- ASML-shares-jump-on-breakthrough-chipmaking-plans-with-intel-and-tsmc/

[6] Samsung Electronics and ASML Expand Strategic Collaboration for Next-Generation Semiconductor Manufacturing[EB/OL].(2026-09-08)https://via.tt.se/pressmeddelande/4536817/samsung-electronics-and-ASML-expand-strategic-collaboration-for-next-generation-semiconductor-manufacturing?publisherId=259167&lang=en

[7] TSMC and ASML Announce Initiative to Pioneer Industry Transition to Large-Format Photomasks for High NA EUV[EB/OL].(2026-09-08)https://www.asml.com/en/news/press-releases/2026/tsmc-and-asml-announce-industry-transition-to-large-format-photomasks-for-high-na-euv